Den 26. annoncerede Power Cube Semi den succesfulde udvikling af Sydkoreas første 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET-halvleder.
Sammenlignet med eksisterende Si (Silicon)-baserede halvledere, kan SiC (Silicon Carbide) modstå højere spændinger, og bliver derfor hyldet som den næste generations enhed, der leder fremtidens krafthalvledere.Det fungerer som en afgørende komponent, der kræves for at introducere avancerede teknologier, såsom udbredelsen af elektriske køretøjer og udvidelsen af datacentre drevet af kunstig intelligens.
Power Cube Semi er en fabelagtig virksomhed, der udvikler effekthalvlederenheder i tre hovedkategorier: SiC (Silicon Carbide), Si (Silicon) og Ga2O3 (Gallium Oxide).For nylig anvendte og solgte virksomheden Schottky Barrier Diodes (SBD'er) med høj kapacitet til en global elbilsvirksomhed i Kina, og opnåede anerkendelse for sit halvlederdesign og -teknologi.
Frigivelsen af 2300V SiC MOSFET er bemærkelsesværdig som den første udviklingssag i Sydkorea.Infineon, en global krafthalvledervirksomhed baseret i Tyskland, annoncerede også lanceringen af sit 2000V-produkt i marts, men uden et 2300V-produktsortiment.
Infineons 2000V CoolSiC MOSFET, der anvender TO-247PLUS-4-HCC-pakken, imødekommer kravet om øget effekttæthed blandt designere, hvilket sikrer systemets pålidelighed selv under strenge højspændings- og koblingsfrekvensforhold.
CoolSiC MOSFET tilbyder en højere jævnstrømsforbindelsesspænding, hvilket muliggør effektforøgelse uden at øge strømmen.Det er den første diskrete siliciumcarbidenhed på markedet med en gennembrudsspænding på 2000V, der anvender TO-247PLUS-4-HCC-pakken med en krybeafstand på 14 mm og en frigang på 5,4 mm.Disse enheder har lave koblingstab og er velegnede til applikationer som solcellestrenginvertere, energilagringssystemer og opladning af elektriske køretøjer.
CoolSiC MOSFET 2000V produktserien er velegnet til højspændings DC bussystemer op til 1500V DC.Sammenlignet med 1700V SiC MOSFET giver denne enhed tilstrækkelig overspændingsmargin til 1500V DC-systemer.CoolSiC MOSFET tilbyder en tærskelspænding på 4,5V og er udstyret med robuste kropsdioder til hård kommutering.Med .XT-forbindelsesteknologi tilbyder disse komponenter fremragende termisk ydeevne og stærk fugtmodstand.
Ud over 2000V CoolSiC MOSFET vil Infineon snart lancere komplementære CoolSiC dioder pakket i TO-247PLUS 4-pin og TO-247-2 pakker i henholdsvis tredje kvartal 2024 og sidste kvartal af 2024.Disse dioder er særligt velegnede til solenergianvendelser.Matchende portdriver-produktkombinationer er også tilgængelige.
CoolSiC MOSFET 2000V produktserien er nu tilgængelig på markedet.Ydermere tilbyder Infineon passende evalueringstavler: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Udviklere kan bruge dette kort som en præcis generel testplatform til at evaluere alle CoolSiC MOSFET'er og dioder vurderet til 2000V, såvel som EiceDRIVER kompakte enkeltkanals isolation gate driver 1ED31xx produktserie gennem dobbeltpuls eller kontinuerlig PWM drift.
Gung Shin-soo, Chief Technology Officer for Power Cube Semi, udtalte: "Vi var i stand til at udvide vores eksisterende erfaring med udvikling og masseproduktion af 1700V SiC MOSFET'er til 2300V.
Posttid: Apr-08-2024