Sammenlignet med siliciumcarbidenheder vil galliumnitrid-energienheder have flere fordele i scenarier, hvor effektivitet, frekvens, volumen og andre omfattende aspekter er påkrævet på samme tid, såsom galliumnitrid-baserede enheder, der med succes er blevet anvendt inden for hurtigopladning på en stor skala.Med udbruddet af nye downstream-applikationer og det kontinuerlige gennembrud af galliumnitrid-substratforberedelsesteknologi, forventes GaN-enheder at fortsætte med at stige i volumen og vil blive en af nøgleteknologierne til omkostningsreduktion og effektivitet, bæredygtig grøn udvikling.
På nuværende tidspunkt er tredje generation af halvledermaterialer blevet en vigtig del af strategiske nye industrier og er også ved at blive det strategiske ledende punkt for at gribe den næste generation af informationsteknologi, energibesparelse og emissionsreduktion og national forsvarssikkerhedsteknologi.Blandt dem er galliumnitrid (GaN) et af de mest repræsentative tredjegenerations halvledermaterialer som et halvledermateriale med bred båndgab med et båndgab på 3,4 eV.
Den 3. juli strammede Kina eksporten af gallium- og germaniumrelaterede varer, hvilket er en vigtig politisk justering baseret på den vigtige egenskab ved gallium, et sjældent metal, som "det nye korn i halvlederindustrien" og dets brede anvendelsesfordele i halvledermaterialer, ny energi og andre områder.I lyset af denne politikændring vil dette papir diskutere og analysere galliumnitrid ud fra aspekterne af præparationsteknologi og udfordringer, nye vækstpunkter i fremtiden og konkurrencemønster.
En kort introduktion:
Galliumnitrid er en slags syntetisk halvledermateriale, som er en typisk repræsentant for tredje generation af halvledermaterialer.Sammenlignet med traditionelle siliciummaterialer har galliumnitrid (GaN) fordelene ved stort båndgab, stærkt elektrisk nedbrydningsfelt, lav on-modstand, høj elektronmobilitet, høj konverteringseffektivitet, høj termisk ledningsevne og lavt tab.
Galliumnitrid enkeltkrystal er en ny generation af halvledermaterialer med fremragende ydeevne, som kan bruges i vid udstrækning inden for kommunikation, radar, forbrugerelektronik, bilelektronik, energi, industriel laserbehandling, instrumentering og andre områder, så dens udvikling og masseproduktion er fokus for opmærksomhed fra lande og industrier rundt om i verden.
Anvendelse af GaN
1--5G kommunikationsbasestation
Trådløs kommunikationsinfrastruktur er det vigtigste anvendelsesområde for galliumnitrid RF-enheder, der tegner sig for 50 %.
2--Høj strømforsyning
Funktionen "dobbelthøjde" i GaN har et stort indtrængningspotentiale i højtydende elektroniske forbrugerenheder, som kan opfylde kravene til hurtigopladning og opladningsbeskyttelsesscenarier.
3--Ny energikøretøj
Fra det praktiske anvendelsessynspunkt er de nuværende tredjegenerations halvlederenheder på bilen hovedsageligt siliciumcarbidenheder, men der er egnede galliumnitridmaterialer, der kan bestå bilreguleringscertificeringen af strømenhedsmoduler eller andre egnede emballeringsmetoder. stadig accepteres af hele fabrikken og OEM-producenter.
4--Datacenter
GaN strømhalvledere bruges hovedsageligt i PSU strømforsyningsenheder i datacentre.
Sammenfattende, med udbruddet af nye downstream-applikationer og kontinuerlige gennembrud inden for galliumnitrid-substratforberedelsesteknologi, forventes GaN-enheder at fortsætte med at stige i volumen og vil blive en af nøgleteknologierne til omkostningsreduktion og effektivitet og bæredygtig grøn udvikling.
Indlægstid: 27-jul-2023