150 mm 6 tommer 0,7 mm 0,5 mm safirwafersubstratbærer C-plan SSP/DSP

Kort beskrivelse:

Alt ovenstående er korrekte beskrivelser af safirkrystaller. Safirkrystallens fremragende ydeevne gør den meget udbredt inden for avancerede tekniske områder. Med den hurtige udvikling af LED-industrien stiger efterspørgslen efter safirkrystalmaterialer også.

Send e-mail til os

Funktioner

Applikationer

Anvendelser for 6-tommer safirwafere inkluderer:

1. LED-fremstilling: Safirwafer kan bruges som substrat til LED-chips, og dens hårdhed og varmeledningsevne kan forbedre LED-chips' stabilitet og levetid.

2. Laserfremstilling: Safirwafer kan også bruges som substrat for lasere for at forbedre laserens ydeevne og forlænge levetiden.

3. Halvlederfremstilling: Safirwafere anvendes i vid udstrækning i fremstillingen af elektroniske og optoelektroniske enheder, herunder optisk syntese, solceller, højfrekvente elektroniske enheder osv.

4. Andre anvendelser: Safirwafer kan også bruges til at fremstille berøringsskærme, optiske enheder, tyndfilmssolceller og andre højteknologiske produkter.

Specifikation

Materiale	Højrenheds enkeltkrystal Al2O3, safirwafer.
Dimension	150 mm +/- 0,05 mm, 6 tommer
Tykkelse	1300 +/- 25 um
Orientering	C-plan (0001) ud for M-plan (1-100) 0,2 +/- 0,05 grader
Primær flad orientering	Et plan +/- 1 grad
Primær flad længde	47,5 mm +/- 1 mm
Total tykkelsesvariation (TTV)	<20 um
Sløjfe	<25 um
Forvridning	<25 um
Termisk ekspansionskoefficient	6,66 x 10-6 / °C parallelt med C-aksen, 5 x 10-6 / °C vinkelret på C-aksen
Dielektrisk styrke	4,8 x 105 V/cm
Dielektrisk konstant	11,5 (1 MHz) langs C-aksen, 9,3 (1 MHz) vinkelret på C-aksen
Dielektrisk tabstangent (også kendt som dissipationsfaktor)	mindre end 1 x 10-4
Termisk ledningsevne	40 W/(mK) ved 20℃
Polering	Enkeltsidet polering (SSP) eller dobbeltsidet polering (DSP) Ra < 0,5 nm (ved AFM). Bagsiden af SSP-waferen blev finslebet til Ra = 0,8 - 1,2 um.
Transmittans	88% +/-1% @460 nm