150 mm 6 tommer 0,7 mm 0,5 mm Sapphire Wafer Substrat Carrier C-Plane SSP/DSP
Ansøgninger
Anvendelser til 6-tommer safirskiver omfatter:
1. LED-fremstilling: Safirwafer kan bruges som substrat for LED-chips, og dens hårdhed og termiske ledningsevne kan forbedre stabiliteten og levetiden for LED-chips.
2. Laserfremstilling: Safirwafer kan også bruges som substrat for laser for at hjælpe med at forbedre laserens ydeevne og forlænge levetiden.
3. Fremstilling af halvledere: Safirskiver bruges i vid udstrækning til fremstilling af elektroniske og optoelektroniske enheder, herunder optisk syntese, solceller, højfrekvente elektroniske enheder mv.
4. Andre anvendelser: Sapphire wafer kan også bruges til at fremstille berøringsskærm, optiske enheder, tyndfilm solceller og andre højteknologiske produkter.
Specifikation
| Materiale | Høj renhed enkeltkrystal Al2O3, safirwafer. |
| Dimension | 150 mm +/- 0,05 mm, 6 tommer |
| Tykkelse | 1300 +/- 25 um |
| Orientering | C-plan (0001) off M (1-100) plan 0,2 +/- 0,05 grader |
| Primær flad orientering | Et fly +/- 1 grad |
| Primær flad længde | 47,5 mm +/- 1 mm |
| Total tykkelsesvariation (TTV) | <20 um |
| Sløjfe | <25 um |
| Warp | <25 um |
| Termisk udvidelseskoefficient | 6,66 x 10-6 / °C parallelt med C-aksen, 5 x 10-6 / °C vinkelret på C-aksen |
| Dielektrisk styrke | 4,8 x 105 V/cm |
| Dielektrisk konstant | 11,5 (1 MHz) langs C-aksen, 9,3 (1 MHz) vinkelret på C-aksen |
| Dielektrisk tabstangent (også kendt som dissipationsfaktor) | mindre end 1 x 10-4 |
| Varmeledningsevne | 40 W/(mK) ved 20℃ |
| Polering | enkelt side poleret (SSP) eller dobbelt side poleret (DSP) Ra < 0,5 nm (ved AFM).Bagsiden af SSP wafer var finslebet til Ra = 0,8 - 1,2 um. |
| Transmission | 88 % +/-1 % ved 460 nm |
Detaljeret diagram
Skriv din besked her og send den til os
