4 tommer Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Ansøgninger
● Vækstsubstrat for III-V og II-VI forbindelser.
● Elektronik og optoelektronik.
● IR-applikationer.
● Silicon On Sapphire Integrated Circuit (SOS).
● Radio Frequency Integrated Circuit (RFIC).
I LED-produktion bruges safirskiver som et substrat for væksten af galliumnitrid (GaN) krystaller, som udsender lys, når en elektrisk strøm påføres.Safir er et ideelt substratmateriale til GaN-vækst, fordi det har en krystalstruktur og termisk udvidelseskoefficient, der ligner GaN, hvilket minimerer defekter og forbedrer krystalkvaliteten.
I optik bruges safirskiver som vinduer og linser i højtryks- og højtemperaturmiljøer samt i infrarøde billedbehandlingssystemer på grund af deres høje gennemsigtighed og hårdhed.
Specifikation
| Vare | 4-tommer C-plane(0001) 650μm safirskiver | |
| Krystal materialer | 99,999%, høj renhed, monokrystallinsk Al2O3 | |
| karakter | Prime, Epi-Ready | |
| Overfladeorientering | C-plan (0001) | |
| C-plan off-vinkel mod M-aksen 0,2 +/- 0,1° | ||
| Diameter | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Tykkelse | 650 μm +/- 25 μm | |
| Primær flad orientering | A-plan (11-20) +/- 0,2° | |
| Primær flad længde | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Enkelt side poleret | Forside | Epi-poleret, Ra < 0,2 nm (af AFM) |
| (SSP) | Bagside | Fin jord, Ra = 0,8 μm til 1,2 μm |
| Dobbeltsidet poleret | Forside | Epi-poleret, Ra < 0,2 nm (af AFM) |
| (DSP) | Bagside | Epi-poleret, Ra < 0,2 nm (af AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| SLØJFE | < 20 μm | |
| WARP | < 20 μm | |
| Rengøring / Emballage | Klasse 100 renrumsrengøring og vakuumpakning, | |
| 25 styk i en kassette emballage eller enkelt stykke emballage. | ||
Pakning & forsendelse
Generelt leverer vi pakken med 25 stk kassettebokse;vi kan også pakkes i en enkelt waferbeholder under 100 klasse rengøringsrum i henhold til kundens krav.
Detaljeret diagram
