8 tommer 200 mm 4H-N SiC Wafer Conductive dummy research grade

Kort beskrivelse:

Efterhånden som transport-, energi- og industrimarkederne udvikler sig, fortsætter efterspørgslen efter pålidelig, højtydende kraftelektronik med at vokse.For at imødekomme behovene for forbedret halvlederydeevne, søger enhedsproducenter til halvledermaterialer med brede båndgab, såsom vores 4H SiC Prime Grade-portefølje af 4H n-type siliciumcarbid (SiC) wafere.

Send e-mail til os

Produktdetaljer

Produkt Tags

På grund af dets unikke fysiske og elektroniske egenskaber bruges 200 mm SiC wafer-halvledermateriale til at skabe højtydende, højtemperatur-, strålingsbestandige og højfrekvente elektroniske enheder.Prisen på 8 tommer SiC-substrat falder gradvist, efterhånden som teknologien bliver mere avanceret, og efterspørgslen vokser.Den seneste teknologiske udvikling fører til fremstilling i produktionsskala af 200 mm SiC-wafere.De vigtigste fordele ved SiC-wafer-halvledermaterialer sammenlignet med Si- og GaAs-wafere: Den elektriske feltstyrke af 4H-SiC under lavinesammenbrud er mere end en størrelsesorden højere end de tilsvarende værdier for Si og GaAs.Dette fører til et signifikant fald i on-state-resistiviteten Ron.Lav on-state resistivitet, kombineret med høj strømtæthed og termisk ledningsevne, tillader brugen af meget små matricer til strømenheder.SiC's høje termiske ledningsevne reducerer chippens termiske modstand.De elektroniske egenskaber af enheder baseret på SiC-wafere er meget stabile over tid og temperaturstabile, hvilket sikrer høj pålidelighed af produkter.Siliciumcarbid er ekstremt modstandsdygtig over for hård stråling, som ikke forringer chippens elektroniske egenskaber.Krystallens høje begrænsende driftstemperatur (mere end 6000C) giver dig mulighed for at skabe yderst pålidelige enheder til barske driftsforhold og specielle applikationer.På nuværende tidspunkt kan vi levere små batch 200mmSiC wafere støt og kontinuerligt og har noget lager på lageret.

Specifikation

Nummer	Vare	Enhed	Produktion	Forskning	Dummy
1. Parametre
1.1	polytype	--	4H	4H	4H
1.2	overfladeorientering	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2. Elektrisk parameter
2.1	dopingmiddel	--	n-type nitrogen	n-type nitrogen	n-type nitrogen
2.2	resistivitet	ohm · cm	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3. Mekanisk parameter
3.1	diameter	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	tykkelse	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Hak orientering	°	[1-100]±5	[1-100]±5	[1-100]±5
3.4	Indhak dybde	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	μm	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Sløjfe	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Warp	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4. Struktur
4.1	mikrorørstæthed	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	metalindhold	atomer/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	ea/cm2	≤7000	≤10.000	NA
5. Positiv kvalitet
5.1	foran	--	Si	Si	Si
5.2	overfladebehandling	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	partikel	ea/wafer	≤100(størrelse≥0,3μm)	NA	NA
5.4	kradse	ea/wafer	≤5,Totallængde≤200mm	NA	NA
5.5	Edge spåner/indrykninger/revner/pletter/forurening	--	Ingen	Ingen	NA
5.6	Polytype områder	--	Ingen	Areal ≤10 %	Areal ≤30 %
5.7	frontmarkering	--	Ingen	Ingen	Ingen
6. Rygkvalitet
6.1	tilbage finish	--	C-face MP	C-face MP	C-face MP
6.2	kradse	mm	NA	NA	NA
6.3	Ryg defekter kant chips/indrykninger	--	Ingen	Ingen	NA
6.4	Ryg ruhed	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Rygmarkering	--	Hak	Hak	Hak
7. Kant
7.1	kant	--	Chamfer	Chamfer	Chamfer
8. Pakke
8.1	emballage	--	Epi-klar med vakuum emballage	Epi-klar med vakuum emballage	Epi-klar med vakuum emballage
8.2	emballage	--	Multi-wafer kassette emballage	Multi-wafer kassette emballage	Multi-wafer kassette emballage