50,8 mm/100 mm AlN skabelon på NPSS/FSS AlN skabelon på safir

Kort beskrivelse:

AlN-On-Sapphire refererer til en kombination af materialer, hvori aluminiumnitridfilm dyrkes på Sapphire-substrater.I denne struktur kan højkvalitets aluminiumnitridfilm dyrkes ved kemisk dampaflejring (CVD) eller organometrisk kemisk dampaflejring (MOCVD), hvilket gør at aluminiumnitridfilmen og safirsubstratet har en god kombination.Fordelene ved denne struktur er, at aluminiumnitrid har høj termisk ledningsevne, høj kemisk stabilitet og fremragende optiske egenskaber, mens safirsubstrat har fremragende mekaniske og termiske egenskaber og gennemsigtighed.

Send e-mail til os

Produktdetaljer

Produkt Tags

AlN-On-Sapphire

AlN-On-Sapphire kan bruges til at lave en række fotoelektriske enheder, såsom:
1. LED-chips: LED-chips er normalt lavet af aluminiumnitridfilm og andre materialer.Effektiviteten og stabiliteten af lysdioder kan forbedres ved at bruge AlN-On-Sapphire wafere som substrat for LED-chips.
2. Lasere: AlN-On-Sapphire wafers kan også bruges som substrater til lasere, som almindeligvis anvendes i medicinsk, kommunikations- og materialebehandling.
3. Solceller: Fremstillingen af solceller kræver brug af materialer som aluminiumnitrid.AlN-On-Sapphire som substrat kan forbedre solcellernes effektivitet og levetid.
4. Andre optoelektroniske enheder: AlN-On-Sapphire wafere kan også bruges til at fremstille fotodetektorer, optoelektroniske enheder og andre optoelektroniske enheder.

Som konklusion er AlN-On-Sapphire wafere meget brugt i det opto-elektriske område på grund af deres høje termiske ledningsevne, høje kemiske stabilitet, lave tab og fremragende optiske egenskaber.

50,8 mm/100 mm AlN skabelon på NPSS/FSS

Vare	Bemærkninger
Beskrivelse	AlN-on-NPSS skabelon	AlN-on-FSS skabelon
Wafer diameter	50,8 mm, 100 mm
Underlag	c-plan NPSS	c-plane Planar Sapphire (FSS)
Substrattykkelse	50,8 mm, 100 mmc-plan Planar Sapphire (FSS) 100 mm : 650 um
Tykkelse af AIN epi-lag	3~4 um (mål: 3,3 um)
Ledningsevne	Isolerende
Overflade	Som voksen
	RMS <1nm	RMS<2nm
Bagsiden	Kværnet
FWHM(002)XRC	< 150 buesek	< 150 buesek
FWHM(102)XRC	< 300 buesek	< 300 buesek
Kantudelukkelse	< 2 mm	< 3 mm
Primær flad orientering	a-plan+0,1°
Primær flad længde	50,8 mm: 16+/-1 mm 100 mm: 30+/-1 mm
Pakke	Pakket i forsendelsesæske eller enkelt waferbeholder