8 tommer SiC produktionskvalitetswafer 4H-N SiC-substrat
Følgende tabel viser specifikationerne for vores 8-tommer SiC-wafere:
| Specifikationer for 8-tommer N-type SiC DSP | |||||
| Antal | Punkt | Enhed | Produktion | Forskning | Dummy |
| 1:parametre | |||||
| 1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | overfladeorientering | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2: Elektrisk parameter | |||||
| 2.1 | dopant | -- | n-type nitrogen | n-type nitrogen | n-type nitrogen |
| 2.2 | modstand | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3: Mekanisk parameter | |||||
| 3.1 | diameter | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | tykkelse | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Hakretning | ° | [1-100]±5 | [1-100]±5 | [1-100]±5 |
| 3.4 | Hakdybde | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3,5 | LTV | μm | ≤5 (10 mm * 10 mm) | ≤5 (10 mm * 10 mm) | ≤10 (10 mm * 10 mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Sløjfe | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3,8 | Forvridning | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3,9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4: Struktur | |||||
| 4.1 | mikrorørs tæthed | stk./cm² | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | metalindhold | atomer/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | stk./cm² | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | Borderline personlighedsforstyrrelse | stk./cm² | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4,5 | TED | stk./cm² | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Frontkvalitet | |||||
| 5.1 | front | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | overfladefinish | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | partikel | stk./vaffel | ≤100 (størrelse ≥0,3 μm) | NA | NA |
| 5.4 | kradse | stk./vaffel | ≤5, samlet længde ≤200 mm | NA | NA |
| 5,5 | Kant afslag/hak/revner/pletter/kontaminering | -- | Ingen | Ingen | NA |
| 5.6 | Polytypeområder | -- | Ingen | Areal ≤10% | Areal ≤30% |
| 5.7 | frontmarkering | -- | Ingen | Ingen | Ingen |
| 6: Rygkvalitet | |||||
| 6.1 | bagsidefinish | -- | C-face MP | C-face MP | C-face MP |
| 6.2 | kradse | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Bagkantsfejl afslag/fordybninger | -- | Ingen | Ingen | NA |
| 6.4 | Ruhed i ryggen | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6,5 | Bagmarkering | -- | Hak | Hak | Hak |
| 7:kant | |||||
| 7.1 | kant | -- | Affasning | Affasning | Affasning |
| 8: Pakke | |||||
| 8.1 | emballage | -- | Epi-klar med vakuum emballage | Epi-klar med vakuum emballage | Epi-klar med vakuum emballage |
| 8.2 | emballage | -- | Multi-wafer kassetteemballage | Multi-wafer kassetteemballage | Multi-wafer kassetteemballage |
Detaljeret diagram
Skriv din besked her og send den til os