Gallium Nitride (GaN) Epitaksial dyrket på safirskiver 4 tommer 6 tommer til MEMS
Egenskaber for GaN på Sapphire Wafers
●Høj effektivitet:GaN-baserede enheder giver fem gange mere strøm end siliciumbaserede enheder, hvilket forbedrer ydeevnen i forskellige elektroniske applikationer, herunder RF-forstærkning og optoelektronik.
●Bredt båndgab:GaN's brede båndgab muliggør høj effektivitet ved høje temperaturer, hvilket gør den ideel til højeffekt- og højfrekvente applikationer.
● Holdbarhed:GaNs evne til at håndtere ekstreme forhold (høje temperaturer og stråling) sikrer langvarig ydeevne i barske miljøer.
● Lille størrelse:GaN giver mulighed for produktion af mere kompakte og lette enheder sammenlignet med traditionelle halvledermaterialer, hvilket letter mindre og mere kraftfuld elektronik.
Abstrakt
Gallium Nitride (GaN) fremstår som den foretrukne halvleder til avancerede applikationer, der kræver høj effekt og effektivitet, såsom RF frontend-moduler, højhastighedskommunikationssystemer og LED-belysning. GaN epitaksiale wafere, når de dyrkes på safirsubstrater, tilbyder en kombination af høj termisk ledningsevne, høj gennembrudsspænding og bred frekvensrespons, som er nøglen til optimal ydeevne i trådløse kommunikationsenheder, radarer og jammere. Disse wafers fås i både 4-tommer og 6-tommer diametre, med varierende GaN-tykkelser for at opfylde forskellige tekniske krav. GaNs unikke egenskaber gør det til en førsteklasses kandidat for fremtidens kraftelektronik.
Produktparametre
| Produktfunktion | Specifikation |
| Wafer Diameter | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Underlag | Safir |
| GaN lagtykkelse | 0,5 μm - 10 μm |
| GaN Type/Doping | N-type (P-type tilgængelig efter anmodning) |
| GaN Krystal Orientering | <0001> |
| Poleringstype | Enkeltsidet poleret (SSP), dobbeltsidet poleret (DSP) |
| Al2O3 tykkelse | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Total Thickness Variation) | ≤ 10 μm |
| Sløjfe | ≤ 10 μm |
| Warp | ≤ 10 μm |
| Overfladeareal | Brugbart overfladeareal > 90 % |
Spørgsmål og svar
Q1: Hvad er de vigtigste fordele ved at bruge GaN i forhold til traditionelle siliciumbaserede halvledere?
A1: GaN tilbyder flere væsentlige fordele i forhold til silicium, herunder et bredere båndgab, som gør det muligt at håndtere højere gennembrudsspændinger og fungere effektivt ved højere temperaturer. Dette gør GaN ideel til høj-effekt, højfrekvente applikationer som RF-moduler, effektforstærkere og LED'er. GaNs evne til at håndtere højere effekttætheder muliggør også mindre og mere effektive enheder sammenlignet med siliciumbaserede alternativer.
Q2: Kan GaN på Sapphire wafers bruges i MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) applikationer?
A2: Ja, GaN på Sapphire wafers er velegnet til MEMS-applikationer, især hvor høj effekt, temperaturstabilitet og lav støj er påkrævet. Materialets holdbarhed og effektivitet i højfrekvente miljøer gør det ideelt til MEMS-enheder, der bruges i trådløs kommunikation, sensing og radarsystemer.
Q3: Hvad er de potentielle anvendelser af GaN i trådløs kommunikation?
A3: GaN er meget udbredt i RF-frontend-moduler til trådløs kommunikation, herunder 5G-infrastruktur, radarsystemer og jammere. Dens høje effekttæthed og termiske ledningsevne gør den perfekt til høj-effekt, højfrekvente enheder, hvilket muliggør bedre ydeevne og mindre formfaktorer sammenlignet med siliciumbaserede løsninger.
Spørgsmål 4: Hvad er leveringstiderne og minimumsordremængderne for GaN på Sapphire wafers?
A4: Ledetider og minimumsbestillingsmængder varierer afhængigt af waferstørrelse, GaN-tykkelse og specifikke kundekrav. Kontakt os venligst direkte for detaljerede priser og tilgængelighed baseret på dine specifikationer.
Q5: Kan jeg få tilpasset GaN-lagtykkelse eller dopingniveauer?
A5: Ja, vi tilbyder tilpasning af GaN-tykkelse og dopingniveauer for at imødekomme specifikke applikationsbehov. Fortæl os venligst dine ønskede specifikationer, så sørger vi for en skræddersyet løsning.
Detaljeret diagram
