Galliumnitrid (GaN) epitaksialt dyrket på safirwafere 4 tommer og 6 tommer til MEMS
Egenskaber ved GaN på safirwafere
● Høj effektivitet:GaN-baserede enheder leverer fem gange mere strøm end siliciumbaserede enheder, hvilket forbedrer ydeevnen i forskellige elektroniske applikationer, herunder RF-forstærkning og optoelektronik.
● Bredt båndgab:GaN's brede båndgab muliggør høj effektivitet ved forhøjede temperaturer, hvilket gør den ideel til højeffekt- og højfrekvente applikationer.
● Holdbarhed:GaNs evne til at håndtere ekstreme forhold (høje temperaturer og stråling) sikrer langvarig ydeevne i barske miljøer.
● Lille størrelse:GaN muliggør produktion af mere kompakte og lette enheder sammenlignet med traditionelle halvledermaterialer, hvilket muliggør mindre og mere kraftfuld elektronik.
Abstrakt
Galliumnitrid (GaN) er ved at blive den foretrukne halvleder til avancerede applikationer, der kræver høj effekt og effektivitet, såsom RF-frontend-moduler, højhastighedskommunikationssystemer og LED-belysning. GaN-epitaksiale wafere, når de dyrkes på safirsubstrater, tilbyder en kombination af høj termisk ledningsevne, høj gennemslagsspænding og bred frekvensrespons, hvilket er nøglen til optimal ydeevne i trådløse kommunikationsenheder, radarer og jammere. Disse wafere fås i både 4-tommer og 6-tommer diametre med varierende GaN-tykkelser for at opfylde forskellige tekniske krav. GaNs unikke egenskaber gør den til en førende kandidat til fremtidens effektelektronik.
Produktparametre
| Produktfunktion | Specifikation |
| Waferdiameter | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Substrat | Safir |
| GaN-lagtykkelse | 0,5 μm - 10 μm |
| GaN-type/doping | N-type (P-type tilgængelig på forespørgsel) |
| GaN krystalorientering | <0001> |
| Poleringstype | Enkeltsidet poleret (SSP), dobbeltsidet poleret (DSP) |
| Al2O3 Tykkelse | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Total Tykkelse Variation) | ≤ 10 μm |
| Sløjfe | ≤ 10 μm |
| Forvridning | ≤ 10 μm |
| Overfladeareal | Brugbart overfladeareal > 90% |
Spørgsmål og svar
Q1: Hvad er de vigtigste fordele ved at bruge GaN i forhold til traditionelle siliciumbaserede halvledere?
A1GaN tilbyder adskillige betydelige fordele i forhold til silicium, herunder et bredere båndgab, der gør det muligt at håndtere højere gennembrudsspændinger og fungere effektivt ved højere temperaturer. Dette gør GaN ideelt til højfrekvente applikationer med høj effekt, såsom RF-moduler, effektforstærkere og LED'er. GaNs evne til at håndtere højere effekttætheder muliggør også mindre og mere effektive enheder sammenlignet med siliciumbaserede alternativer.
Q2: Kan GaN på safirwafere bruges i MEMS-applikationer (mikroelektromekaniske systemer)?
A2Ja, GaN på safirwafere er velegnede til MEMS-applikationer, især hvor der kræves høj effekt, temperaturstabilitet og lav støj. Materialets holdbarhed og effektivitet i højfrekvente miljøer gør det ideelt til MEMS-enheder, der anvendes i trådløs kommunikation, sensorer og radarsystemer.
Q3: Hvad er de potentielle anvendelser af GaN inden for trådløs kommunikation?
A3GaN bruges i vid udstrækning i RF-frontend-moduler til trådløs kommunikation, herunder 5G-infrastruktur, radarsystemer og jammere. Dens høje effekttæthed og termiske ledningsevne gør den perfekt til højfrekvente enheder med høj effekt, hvilket muliggør bedre ydeevne og mindre formfaktorer sammenlignet med siliciumbaserede løsninger.
Q4: Hvad er leveringstiderne og minimumsbestillingsmængderne for GaN på Sapphire-wafere?
A4Leveringstider og minimumsbestillingsmængder varierer afhængigt af waferstørrelse, GaN-tykkelse og specifikke kundekrav. Kontakt os venligst direkte for detaljerede priser og tilgængelighed baseret på dine specifikationer.
Q5: Kan jeg få brugerdefineret GaN-lagtykkelse eller dopingniveauer?
A5Ja, vi tilbyder tilpasning af GaN-tykkelse og dopingniveauer for at imødekomme specifikke applikationsbehov. Giv os venligst besked om dine ønskede specifikationer, så leverer vi en skræddersyet løsning.
Detaljeret diagram
