N-Type SiC på Si Composite Substras Dia6inch

Kort beskrivelse:

N-type SiC på Si-kompositsubstrater er halvledermaterialer, der består af et lag af n-type siliciumcarbid (SiC) aflejret på et silicium (Si)-substrat.


Produktdetaljer

Produkt Tags

等级Grad

Du 级

P级

D级

Lav BPD-grad

Produktionsgrad

Dummy karakter

直径Diameter

150,0 mm±0,25 mm

厚度Tykkelse

500 μm±25μm

晶片方向Wafer orientering

Off-akse: 4,0° mod < 11-20 > ±0,5° for 4H-N On-akse: <0001>±0,5° for 4H-SI

主定位边方向Primær lejlighed

{10-10}±5,0°

主定位边长度Primær flad længde

47,5 mm±2,5 mm

边缘Kantudelukkelse

3 mm

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp

≤15μm /≤40μm /≤60μm

微管密度和基面位错MPD&BPD

MPD≤1 cm-2

MPD≤5 cm-2

MPD≤15 cm-2

BPD≤1000cm-2

电阻率Resistivitet

≥1E5 Ω·cm

表面粗糙度Ruhed

Polsk Ra≤1 nm

CMP Ra≤0,5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Ingen

Kumulativ længde ≤10 mm, enkelt længde≤2 mm

Revner af højintensitetslys

六方空洞(强光灯观测)*

Akkumuleret areal ≤1 %

Akkumuleret areal ≤5 %

Hex plader af høj intensitet lys

多型(强光灯观测)*

Ingen

Akkumuleret areal≤5 %

Polytype områder med høj intensitet lys

划痕(强光灯观测)*&

3 ridser til 1×wafer diameter

5 ridser til 1×wafer diameter

Ridser af høj intensitet lys

kumulativ længde

kumulativ længde

崩边# Kantchip

Ingen

5 tilladte, ≤1 mm hver

表面污染物(强光灯观测)

Ingen

Forurening med højintensitetslys

 

Detaljeret diagram

WeChatfb506868f1be4983f80912519e79dd7b

  • Tidligere:
  • Næste:

  • Skriv din besked her og send den til os