SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2 tommer 3 tommer 4 tommer 6 tommer 8 tommer
Ejendomme
4H-N og 6H-N (N-type SiC-wafere)
Anvendelse:Primært anvendt i effektelektronik, optoelektronik og højtemperaturapplikationer.
Diameterområde:50,8 mm til 200 mm.
Tykkelse:350 μm ± 25 μm, med valgfri tykkelser på 500 μm ± 25 μm.
Modstandsevne:N-type 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-kvalitet), ≤ 0,3 Ω·cm (P-kvalitet); N-type 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (Z-kvalitet), ≤ 1 mΩ·cm (P-kvalitet).
Ruhed:Ra ≤ 0,2 nm (CMP eller MP).
Mikrorørsdensitet (MPD):< 1 stk/cm².
TTV: ≤ 10 μm for alle diametre.
Forvridning: ≤ 30 μm (≤ 45 μm for 8-tommer wafere).
Kantudelukkelse:3 mm til 6 mm afhængigt af wafertypen.
Emballage:Multiwaferkassette eller enkeltwaferbeholder.
Andre tilgængelige størrelser 3 tommer 4 tommer 6 tommer 8 tommer
HPSI (Højrenheds Semi-Isolerende SiC-wafere)
Anvendelse:Anvendes til enheder, der kræver høj modstand og stabil ydeevne, såsom RF-enheder, fotoniske applikationer og sensorer.
Diameterområde:50,8 mm til 200 mm.
Tykkelse:Standardtykkelse på 350 μm ± 25 μm med muligheder for tykkere wafere op til 500 μm.
Ruhed:Ra ≤ 0,2 nm.
Mikrorørsdensitet (MPD): ≤ 1 stk/cm².
Modstandsevne:Høj modstand, typisk anvendt i halvisolerende applikationer.
Forvridning: ≤ 30 μm (for mindre størrelser), ≤ 45 μm for større diametre.
TTV: ≤ 10 μm.
Andre tilgængelige størrelser 3 tommer 4 tommer 6 tommer 8 tommer
4H-P、6H-P&3C SiC-wafer(P-type SiC-wafere)
Anvendelse:Primært til strøm- og højfrekvente enheder.
Diameterområde:50,8 mm til 200 mm.
Tykkelse:350 μm ± 25 μm eller tilpassede muligheder.
Modstandsevne:P-type 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-kvalitet), ≤ 0,3 Ω·cm (P-kvalitet).
Ruhed:Ra ≤ 0,2 nm (CMP eller MP).
Mikrorørsdensitet (MPD):< 1 stk/cm².
TTV: ≤ 10 μm.
Kantudelukkelse:3 mm til 6 mm.
Forvridning: ≤ 30 μm for mindre størrelser, ≤ 45 μm for større størrelser.
Andre tilgængelige størrelser 3 tommer 4 tommer 6 tommer5×5 10×10
Tabel over delvise dataparametre
Ejendom | 2 tommer | 3 tommer | 4 tommer | 6 tommer | 8 tommer | |||
Type | 4H-N/HPSI/ | 4H-N/HPSI/ | 4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C; | 4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C; | 4H-N/HPSI/4H-SEMI | |||
Diameter | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2 ± 0,3 mm | 100 ± 0,3 mm | 150 ± 0,3 mm | 200 ± 0,3 mm | |||
Tykkelse | 330 ± 25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | |||
350 ± 25 um; | 500 ± 25 um | 500 ± 25 um | 500 ± 25 um | 500 ± 25 um | ||||
eller tilpasset | eller tilpasset | eller tilpasset | eller tilpasset | eller tilpasset | ||||
Ruhed | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,2 nm | |||
Forvridning | ≤ 30µm | ≤ 30µm | ≤ 30µm | ≤ 30µm | ≤45um | |||
TTV | ≤ 10µm | ≤ 10µm | ≤ 10µm | ≤ 10µm | ≤ 10µm | |||
Kradse/Grave | CMP/MP | |||||||
MPD | <1 stk/cm-2 | <1 stk/cm-2 | <1 stk/cm-2 | <1 stk/cm-2 | <1 stk/cm-2 | |||
Form | Rund, flad 16 mm; OF længde 22 mm; OF længde 30/32,5 mm; OF længde 47,5 mm; HAK; HAK; | |||||||
Skråkant | 45°, SEMI-specifikation; C-form | |||||||
Grad | Produktionskvalitet for MOS&SBD; Forskningskvalitet; Dummy-kvalitet, Seed wafer-kvalitet | |||||||
Bemærkninger | Diameter, tykkelse, orientering, ovenstående specifikationer kan tilpasses efter anmodning |
Applikationer
·Effektelektronik
N-type SiC-wafere er afgørende i effektelektroniske enheder på grund af deres evne til at håndtere høj spænding og høj strøm. De bruges almindeligvis i effektomformere, invertere og motordrev til industrier som vedvarende energi, elbiler og industriel automation.
· Optoelektronik
N-type SiC-materialer, især til optoelektroniske applikationer, anvendes i enheder såsom lysdioder (LED'er) og laserdioder. Deres høje varmeledningsevne og brede båndgab gør dem ideelle til højtydende optoelektroniske enheder.
·Højtemperaturapplikationer
4H-N 6H-N SiC-wafere er velegnede til miljøer med høje temperaturer, såsom i sensorer og strømforsyninger, der anvendes i luftfart, bilindustrien og industrielle applikationer, hvor varmeafledning og stabilitet ved forhøjede temperaturer er afgørende.
·RF-enheder
4H-N 6H-N SiC-wafere bruges i radiofrekvensenheder (RF), der opererer i højfrekvensområder. De anvendes i kommunikationssystemer, radarteknologi og satellitkommunikation, hvor der kræves høj energieffektivitet og ydeevne.
·Fotoniske applikationer
Inden for fotonik anvendes SiC-wafere til enheder som fotodetektorer og modulatorer. Materialets unikke egenskaber gør det effektivt til lysgenerering, modulering og detektion i optiske kommunikationssystemer og billeddannelsesenheder.
·Sensorer
SiC-wafere anvendes i en række forskellige sensorapplikationer, især i barske miljøer, hvor andre materialer kan svigte. Disse omfatter temperatur-, tryk- og kemiske sensorer, som er essentielle inden for områder som bilindustrien, olie og gas samt miljøovervågning.
·Elektriske køretøjers drivsystemer
SiC-teknologi spiller en betydelig rolle i elbiler ved at forbedre drivsystemernes effektivitet og ydeevne. Med SiC-krafthalvledere kan elbiler opnå bedre batterilevetid, hurtigere opladningstider og større energieffektivitet.
·Avancerede sensorer og fotoniske konvertere
I avancerede sensorteknologier bruges SiC-wafere til at skabe højpræcisionssensorer til applikationer inden for robotteknologi, medicinsk udstyr og miljøovervågning. I fotoniske konvertere udnyttes SiC's egenskaber til at muliggøre effektiv omdannelse af elektrisk energi til optiske signaler, hvilket er afgørende inden for telekommunikation og højhastighedsinternetinfrastruktur.
Spørgsmål og svar
QHvad er 4H i 4H SiC?
A"4H" i 4H SiC refererer til krystalstrukturen af siliciumcarbid, nærmere bestemt en hexagonal form med fire lag (H). "H" angiver typen af hexagonal polytype og adskiller den fra andre SiC-polytyper som 6H eller 3C.
QHvad er den termiske ledningsevne af 4H-SiC?
ADen termiske ledningsevne for 4H-SiC (siliciumcarbid) er cirka 490-500 W/m·K ved stuetemperatur. Denne høje termiske ledningsevne gør den ideel til anvendelser inden for effektelektronik og højtemperaturmiljøer, hvor effektiv varmeafledning er afgørende.