Siliciumkarbid keramisk bakke – Holdbare, højtydende bakker til termiske og kemiske anvendelser

Kort beskrivelse:

Send e-mail til os

Funktioner

Detaljeret diagram

Produktintroduktion

Siliciumkarbid (SiC) keramiske bakker er højtydende komponenter, der i vid udstrækning anvendes i industrielle miljøer med høj temperatur, høj belastning og kemisk barske miljøer. Disse bakker er fremstillet af avancerede siliciumkarbid keramiske materialer og er designet til at levere enestående mekanisk styrke, overlegen varmeledningsevne og fremragende modstandsdygtighed over for termisk chok, oxidation og korrosion. Deres robuste natur gør dem yderst velegnede til forskellige industrielle anvendelser, herunder halvlederfremstilling, fotovoltaisk behandling, sintring af pulvermetallurgiske dele og mere.

Siliciumkarbidbakker fungerer som vigtige bærere eller understøtninger under termiske behandlingsprocesser, hvor dimensionsnøjagtighed, strukturel integritet og kemisk resistens er afgørende. Sammenlignet med traditionelle keramiske materialer som aluminiumoxid eller mullit tilbyder SiC-bakker betydeligt højere ydeevne, især under forhold, der involverer gentagne termiske cyklusser og aggressive atmosfærer.

Fremstillingsproces og materialesammensætning

Produktionen af SiC keramiske bakker involverer præcisionsteknik og avancerede sintringsteknologier for at sikre høj densitet, ensartet mikrostruktur og ensartet ydeevne. De generelle trin omfatter:

Valg af råmateriale
Der vælges siliciumcarbidpulver med høj renhed (≥99%), ofte med specifik partikelstørrelseskontrol og minimale urenheder for at garantere høje mekaniske og termiske egenskaber.
Formningsmetoder
Afhængigt af bakkens specifikationer anvendes forskellige formningsteknikker:
- Koldisostatisk presning (CIP) til ensartede komprimeringer med høj densitet
- Ekstrudering eller glidestøbning til komplekse former
- Sprøjtestøbning for præcise, detaljerede geometrier
Sintringsteknikker
Det grønne legeme sintres ved ultrahøje temperaturer, typisk i området 2000 °C, under inerte eller vakuumatmosfærer. Almindelige sintringsmetoder omfatter:
- Reaktionsbundet SiC (RB-SiC)
- Trykfri sintret SiC (SSiC)
- Omkrystalliseret SiC (RBSiC)
  Hver metode resulterer i lidt forskellige materialeegenskaber, såsom porøsitet, styrke og varmeledningsevne.
Præcisionsbearbejdning
Efter sintring bearbejdes bakkerne for at opnå snævre dimensionstolerancer, glat overfladefinish og planhed. Overfladebehandlinger som lapning, slibning og polering kan anvendes baseret på kundens behov.

Typiske anvendelser

Keramikbakker af siliciumkarbid anvendes i en bred vifte af industrier på grund af deres alsidighed og robusthed. Almindelige anvendelser omfatter:

Halvlederindustrien
SiC-bakker bruges som bærere under waferglødning, diffusion, oxidation, epitaksi og implantationsprocesser. Deres stabilitet sikrer ensartet temperaturfordeling og minimal kontaminering.
Fotovoltaisk (PV) industri
I produktion af solceller understøtter SiC-bakker siliciumbarrer eller -wafere under diffusions- og sintringstrin ved høj temperatur.
Pulvermetallurgi og keramik
Anvendes til at understøtte komponenter under sintring af metalpulver, keramik og kompositmaterialer.
Glas- og displaypaneler
Anvendes som ovnbakker eller platforme til fremstilling af specialglas, LCD-substrater eller andre optiske komponenter.
Kemisk forarbejdning og termiske ovne
Fungerer som korrosionsbestandige bærere i kemiske reaktorer eller som termiske støttebakker i vakuum- og atmosfæreovne.

Vigtige ydeevnefunktioner

✅Enestående termisk stabilitet
Tåler kontinuerlig brug i temperaturer op til 1600-2000 °C uden at blive vridet eller forringet.
✅Høj mekanisk styrke
Tilbyder høj bøjningsstyrke (typisk >350 MPa), hvilket sikrer langvarig holdbarhed selv under høje belastningsforhold.
✅Termisk stødmodstand
Fremragende ydeevne i miljøer med hurtige temperaturudsving, hvilket minimerer risikoen for revner.
✅Korrosions- og oxidationsbestandighed
Kemisk stabil i de fleste syrer, baser og oxiderende/reducerende gasser, egnet til barske kemiske processer.
✅Dimensionsnøjagtighed og fladhed
Bearbejdet med høj præcision, hvilket sikrer ensartet bearbejdning og kompatibilitet med automatiserede systemer.
✅Lang levetid og omkostningseffektivitet
Lavere udskiftningsrater og reducerede vedligeholdelsesomkostninger gør det til en omkostningseffektiv løsning over tid.

Tekniske specifikationer

Parameter	Typisk værdi
Materiale	Reaktionsbundet SiC / Sintret SiC
Maks. driftstemperatur	1600–2000°C
Bøjningsstyrke	≥350 MPa
Tæthed	≥3,0 g/cm³
Termisk ledningsevne	~120–180 W/m·K
Overfladeplanhed	≤ 0,1 mm
Tykkelse	5–20 mm (kan tilpasses)
Dimensioner	Standard: 200×200 mm, 300×300 mm osv.
Overfladefinish	Maskinbearbejdet, poleret (på forespørgsel)

Ofte stillede spørgsmål (FAQ)

Q1: Kan siliciumcarbidbakker bruges i vakuumovne?
A:Ja, SiC-bakker er ideelle til vakuummiljøer på grund af deres lave afgasning, kemiske stabilitet og høje temperaturresistens.

Q2: Er der brugerdefinerede former eller slots tilgængelige?
A:Absolut. Vi tilbyder tilpasningsmuligheder, herunder bakkestørrelse, form, overfladeegenskaber (f.eks. riller, huller) og overfladepolering for at imødekomme unikke kundekrav.

Q3: Hvordan klarer SiC sig i sammenligning med aluminiumoxid- eller kvartsbakker?
A:SiC har højere styrke, bedre varmeledningsevne og overlegen modstandsdygtighed over for termisk chok og kemisk korrosion. Mens aluminiumoxid er mere omkostningseffektivt, yder SiC bedre i krævende miljøer.

Q4: Er der en standardtykkelse for disse bakker?
A:Tykkelsen ligger typisk i intervallet 5-20 mm, men vi kan justere den baseret på din anvendelse og dine krav til bæreevne.

Q5: Hvad er den typiske leveringstid for specialfremstillede SiC-bakker?
A:Leveringstiderne varierer afhængigt af kompleksitet og mængde, men ligger generelt fra 2 til 4 uger for specialbestillinger.

Om os

XKH specialiserer sig i højteknologisk udvikling, produktion og salg af specielt optisk glas og nye krystalmaterialer. Vores produkter anvendes til optisk elektronik, forbrugerelektronik og militæret. Vi tilbyder optiske safirkomponenter, mobiltelefonlinsedæksler, keramik, LT, siliciumcarbid SIC, kvarts og halvlederkrystalwafere. Med dygtig ekspertise og avanceret udstyr udmærker vi os inden for ikke-standard produktforarbejdning og sigter mod at være en førende højteknologisk virksomhed inden for optoelektroniske materialer.