2 tommer SiC Wafers 6H eller 4H semi-isolerende SiC-underlag Dia50,8 mm

Siliciumcarbidsubstrat kan opdeles i ledende type og halvisolerende type i henhold til resistivitet.Ledende siliciumcarbidenheder bruges hovedsageligt i elektriske køretøjer, fotovoltaisk elproduktion, jernbanetransit, datacentre, opladning og anden infrastruktur.Elbilindustrien har en enorm efterspørgsel efter ledende siliciumcarbidsubstrater, og på nuværende tidspunkt har Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng og andre nye energikøretøjsvirksomheder planlagt at bruge diskrete enheder eller moduler af siliciumcarbid.

Halvisolerede siliciumcarbidenheder bruges hovedsageligt i 5G-kommunikation, køretøjskommunikation, nationale forsvarsapplikationer, datatransmission, rumfart og andre områder.Ved at dyrke galliumnitrid-epitaksiallaget på det semi-isolerede siliciumcarbidsubstrat, kan den siliciumbaserede galliumnitrid-epitaksiale wafer yderligere gøres til mikrobølge-RF-enheder, som hovedsageligt anvendes i RF-feltet, såsom effektforstærkere i 5G-kommunikation og radiodetektorer i det nationale forsvar.

Fremstillingen af ​​siliciumcarbidsubstratprodukter involverer udstyrsudvikling, råmaterialesyntese, krystalvækst, krystalskæring, waferbehandling, rengøring og test og mange andre links.Med hensyn til råmaterialer leverer Songshan Boron-industrien siliciumcarbidråmaterialer til markedet og har opnået et lille batchsalg.Den tredje generation af halvledermaterialer repræsenteret af siliciumcarbid spiller en nøglerolle i moderne industri, med accelerationen af ​​indtrængen af ​​nye energikøretøjer og solcelleapplikationer er efterspørgslen efter siliciumcarbidsubstrat ved at indlede et vendepunkt.