2 tommer siliciumcarbidskiver 6H eller 4H N-type eller halvisolerende SiC-underlag
Anbefalede produkter
4H SiC wafer N-type
Diameter: 2 tommer 50,8 mm |4 tommer 100 mm |6 tommer 150 mm
Orientering: uden for aksen 4,0˚ mod <1120> ± 0,5˚
Resistivitet: < 0,1 ohm.cm
Ruhed: Si-face CMP Ra <0,5nm, C-face optisk polering Ra <1 nm
4H SiC wafer Semi-isolerende
Diameter: 2 tommer 50,8 mm |4 tommer 100 mm |6 tommer 150 mm
Orientering: på aksen {0001} ± 0,25˚
Resistivitet: >1E5 ohm.cm
Ruhed: Si-face CMP Ra <0,5nm, C-face optisk polering Ra <1 nm
1. 5G-infrastruktur -- kommunikationsstrømforsyning.
Kommunikationsstrømforsyning er energibasen for server- og basestationskommunikation.Det giver elektrisk energi til forskellige transmissionsudstyr for at sikre normal drift af kommunikationssystemet.
2. Opladningsbunke af nye energikøretøjer -- strømmodul af ladebunke.
Den høje effektivitet og høje effekt af opladningsbunkens strømmodul kan realiseres ved at bruge siliciumcarbid i ladebunkens strømmodul for at forbedre opladningshastigheden og reducere opladningsomkostningerne.
3. Stort datacenter, industrielt internet -- serverstrømforsyning.
Serverens strømforsyning er serverens energibibliotek.Serveren leverer strøm til at sikre normal drift af serversystemet.Brugen af siliciumcarbid-strømkomponenter i serverstrømforsyningen kan forbedre strømtætheden og effektiviteten af serverstrømforsyningen, reducere volumen af datacentret i det hele taget, reducere de samlede byggeomkostninger for datacentret og opnå højere miljømæssige effektivitet.
4. Uhv - Anvendelse af fleksible transmissions DC-afbrydere.
5. Intercity højhastighedstog og intercity jernbane transit -- traktionskonvertere, kraftelektroniske transformere, hjælpekonvertere, hjælpestrømforsyninger.
Parameter
Ejendomme | enhed | Silicium | SiC | GaN |
Båndgab bredde | eV | 1.12 | 3,26 | 3,41 |
Opdelingsfelt | MV/cm | 0,23 | 2.2 | 3.3 |
Elektronmobilitet | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
Driftsværdi | 10^7 cm/s | 1 | 2.7 | 2.5 |
Varmeledningsevne | B/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |