English

2 tommer 50,8 mm Germanium Wafer Substrat Enkeltkrystal 1SP 2SP

2 tommer 50,8 mm Germanium Wafer Substrat Enkeltkrystal 1SP 2SP Udvalgt billede
  • 2 tommer 50,8 mm Germanium Wafer Substrat Enkeltkrystal 1SP 2SP
  • 2 tommer 50,8 mm Germanium Wafer Substrat Enkeltkrystal 1SP 2SP
  • 2 tommer 50,8 mm Germanium Wafer Substrat Enkeltkrystal 1SP 2SP

Kort beskrivelse:

Germanium med høj renhed er et halvledermateriale, der bruges til fremstilling af halvlederenheder.Germanium enkeltkrystal doteret med sporspecifikke urenheder kan bruges til at fremstille forskellige transistorer, ensrettere og andre enheder.Høj renhed germanium enkeltkrystal har en høj brydningskoefficient, transparent for infrarødt, ikke gennem synligt og infrarødt lys, kan bruges som prisme eller linse til infrarødt lys.Germaniumforbindelser bruges til fremstilling af fluorescerende plader og forskellige højbrydende glas.Det bruges også i strålingsdetektorer og termoelektriske materialer.


Produktdetaljer

Produkt Tags

Detaljeret information

Germanium chips har halvlederegenskaber.Har spillet en vigtig rolle i udviklingen af ​​faststoffysik og faststofelektronik.Germanium har en smeltetæthed på 5,32 g/cm 3, germanium kan klassificeres som et tyndt spredt metal, germanium kemisk stabilitet, interagerer ikke med luft eller vanddamp ved stuetemperatur, men ved 600 ~ 700 ℃ dannes der hurtigt germaniumdioxid .Virker ikke med saltsyre, fortyndet svovlsyre.Når koncentreret svovlsyre opvarmes, vil germanium langsomt opløses.I salpetersyre og aqua regia opløses germanium let.Virkningen af ​​alkaliopløsning på germanium er meget svag, men smeltet alkali i luft kan få germanium til at opløses hurtigt.Germanium virker ikke med kulstof, så det smeltes i en grafitdigel og vil ikke blive forurenet af kulstof.Germanium har gode halvlederegenskaber, såsom elektronmobilitet, hulmobilitet og så videre.Udviklingen af ​​germanium har stadig et stort potentiale.

Specifikation

Vækstmetode CZ
krystal konstruktion Kubisk system
Gitter konstant a=5,65754 Å
Massefylde 5,323 g/cm3
Smeltepunkt 937,4 ℃
Doping Un-doping Doping-Sb Doping-Ga
Type /

N

 P
modstand ~35Ωcm 0,01~35 Ωcm 0,05~35 Ωcm
EPD ＜4×103∕cm2 ＜4×103∕cm2 ＜4×103∕cm2
Diameter 2 tommer/50,8 mm
Tykkelse 0,5 mm, 1,0 mm
Overflade DSP og SSP
Orientering <100>、<110>、<111>、±0,5º
Ra ≤5Å（5µm×5µm）
Pakke 100 graders pakke ，1000 graders værelse

Detaljeret diagram

WechatIMG550_ (2)
WechatIMG550_ (1)
  • Tidligere:
  • Næste:
    • Skriv din besked her og send den til os

    Produktkategorier

    Tryk på Enter for at søge eller ESC for at lukke