3 tommer 76,2 mm 4H-Semi SiC substratwafer Siliciumcarbid Halvfornærmende SiC-wafere

3 tommer 76,2 mm 4H-Semi SiC substratwafer Siliciumcarbid Semi-fornærmende SiC-wafere Udvalgt billede

Kort beskrivelse:

Højkvalitets enkeltkrystal SiC-wafer (Silicon Carbide) til elektronisk og optoelektronisk industri. 3 tommer SiC wafer er et næste generations halvledermateriale, halvisolerende siliciumcarbid wafers med en diameter på 3 tommer. Waferne er beregnet til fremstilling af strøm-, RF- og optoelektronikenheder.

Send e-mail til os

Produktdetaljer

Produkt Tags

Produktspecifikation

3-tommer 4H halvisolerede SiC (siliciumcarbid) substratwafere er et almindeligt anvendt halvledermateriale. 4H angiver en tetrahexaedrisk krystalstruktur. Halvisolering betyder, at substratet har høje modstandskarakteristika og kan være noget isoleret fra strømmen.

Sådanne substratwafers har følgende egenskaber: høj termisk ledningsevne, lavt ledningstab, fremragende højtemperaturbestandighed og fremragende mekanisk og kemisk stabilitet. Fordi siliciumcarbid har et stort energigab og kan modstå høje temperaturer og høje elektriske feltforhold, er 4H-SiC halvisolerede wafere meget brugt i kraftelektronik og radiofrekvensenheder (RF).

De vigtigste anvendelser af 4H-SiC halvisolerede wafere omfatter:

1--Power elektronik: 4H-SiC wafere kan bruges til at fremstille strømskiftenheder såsom MOSFET'er (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), IGBT'er (Insulated Gate Bipolar Transistors) og Schottky dioder. Disse enheder har lavere lednings- og koblingstab i højspændings- og højtemperaturmiljøer og tilbyder højere effektivitet og pålidelighed.

2--Radio Frequency (RF) enheder: 4H-SiC halvisolerede wafere kan bruges til at fremstille højeffekt, højfrekvente RF effektforstærkere, chipmodstande, filtre og andre enheder. Siliciumcarbid har bedre højfrekvent ydeevne og termisk stabilitet på grund af dets større elektronmætningsdrifthastighed og højere varmeledningsevne.

3--Optoelektroniske enheder: 4H-SiC halvisolerede wafere kan bruges til at fremstille højeffekt laserdioder, UV-lysdetektorer og optoelektroniske integrerede kredsløb.

Med hensyn til markedsretning er efterspørgslen efter 4H-SiC halvisolerede wafere stigende med de voksende områder inden for kraftelektronik, RF og optoelektronik. Dette skyldes det faktum, at siliciumcarbid har en bred vifte af anvendelser, herunder energieffektivitet, elektriske køretøjer, vedvarende energi og kommunikation. I fremtiden forbliver markedet for 4H-SiC halvisolerede wafere meget lovende og forventes at erstatte konventionelle siliciummaterialer i forskellige applikationer.