4H-N 8 tommer SiC-substratwafer siliciumcarbid-dummy med forskningskvalitet på 500 µm tykkelse

4H-N 8 tommer SiC-substratwafer Siliciumcarbid Dummy Research-kvalitet 500 µm tykkelse Fremhævet billede

Kort beskrivelse:

Siliciumcarbidwafere anvendes i elektroniske enheder som effektdioder, MOSFET'er, højtydende mikrobølgeenheder og RF-transistorer, hvilket muliggør effektiv energiomdannelse og strømstyring. SiC-wafere og -substrater finder også anvendelse i bilelektronik, luftfartssystemer og vedvarende energiteknologier.

Send e-mail til os

Produktdetaljer

Produktmærker

Hvordan vælger du siliciumcarbidwafere og SiC-substrater?

Når man vælger siliciumcarbid (SiC) wafere og substrater, er der flere faktorer at overveje. Her er nogle vigtige kriterier:

Materialetype: Bestem den type SiC-materiale, der passer til din anvendelse, såsom 4H-SiC eller 6H-SiC. Den mest almindeligt anvendte krystalstruktur er 4H-SiC.

Doteringstype: Beslut, om du har brug for et doteret eller udoteret SiC-substrat. Almindelige doteringstyper er N-type (n-doteret) eller P-type (p-doteret), afhængigt af dine specifikke krav.

Krystalkvalitet: Vurder krystalkvaliteten af SiC-wafere eller -substrater. Den ønskede kvalitet bestemmes af parametre som antallet af defekter, krystallografisk orientering og overfladeruhed.

Waferdiameter: Vælg den passende waferstørrelse baseret på din anvendelse. Almindelige størrelser inkluderer 2 tommer, 3 tommer, 4 tommer og 6 tommer. Jo større diameteren er, desto mere udbytte kan du opnå pr. wafer.

Tykkelse: Overvej den ønskede tykkelse af SiC-wafere eller -substrater. Typiske tykkelsesmuligheder spænder fra et par mikrometer til flere hundrede mikrometer.

Orientering: Bestem den krystallografiske orientering, der stemmer overens med din applikations krav. Almindelige orienteringer omfatter (0001) for 4H-SiC og (0001) eller (0001̅) for 6H-SiC.

Overfladefinish: Evaluer overfladefinishen på SiC-wafere eller -substrater. Overfladen skal være glat, poleret og fri for ridser eller forurenende stoffer.

Leverandørens omdømme: Vælg en velrenommeret leverandør med omfattende erfaring i produktion af SiC-wafere og -substrater af høj kvalitet. Overvej faktorer som produktionskapacitet, kvalitetskontrol og kundeanmeldelser.

Omkostninger: Overvej omkostningsimplikationerne, herunder prisen pr. wafer eller substrat og eventuelle yderligere tilpasningsudgifter.

Det er vigtigt at vurdere disse faktorer nøje og konsultere brancheeksperter eller leverandører for at sikre, at de valgte SiC-wafere og -substrater opfylder dine specifikke applikationskrav.