8 tommer 200 mm siliciumcarbid SiC wafers 4H-N type Produktionskvalitet 500um tykkelse

Kort beskrivelse:

Shanghai Xinkehui Tech.Co., Ltd tilbyder det bedste udvalg og priser for højkvalitets siliciumcarbid wafers og substrater op til 8 tommer diametre med N- og semi-isolerende typer.Små og store halvlederenheder og forskningslaboratorier verden over bruger og stoler på vores silikonekarbidwafers.

Send e-mail til os

Produktdetaljer

Produkt Tags

200 mm 8 tommer SiC substratspecifikation

Størrelse: 8 tommer;

Diameter: 200mm±0,2;

Tykkelse: 500um±25;

Overfladeorientering: 4 mod [11-20]±0,5°;

Hakorientering:[1-100]±1°；

Hakdybde: 1±0,25 mm;

Mikrorør: <1cm2;

Hex plader: Ingen tilladt;

Resistivitet: 0,015~0,028Ω;

EPD: <8000 cm2;

TED: <6000cm2

BPD: <2000 cm2

TSD: <1000cm2

SF: areal <1 %

TTV≤15um；

Warp≤40um；

Bue≤25um；

Polyområder: ≤5%;

Ridse: <5 og kumulativ længde< 1 waferdiameter;

Spåner/indrykninger: Ingen tillader D>0,5 mm bredde og dybde;

Revner: Ingen;

Plet: Ingen

Waferkant: Fasning;

Overfladefinish: Double Side Polish, Si Face CMP;

Emballage: Multi-wafer Cassette eller Single Wafer Container;

De nuværende vanskeligheder ved fremstillingen af 200 mm 4H-SiC krystaller hovedsageligt

1) Fremstilling af højkvalitets 200 mm 4H-SiC frøkrystaller;

2) Stor størrelse temperaturfelt uensartethed og nukleation proceskontrol;

3) Transporteffektiviteten og udviklingen af gasformige komponenter i større krystalvækstsystemer;

4) Krystalrevner og spredning af defekter forårsaget af en stor stigning i termisk spænding.

For at overvinde disse udfordringer og opnå højkvalitets 200 mm SiC wafers foreslås opløsninger:

Med hensyn til 200 mm frøkrystalforberedelse blev passende temperaturfeltstrømningsfelt og ekspanderende samling undersøgt og designet til at tage højde for krystalkvalitet og ekspanderende størrelse;Start med en 150 mm SiC se:d krystal, udfør podekrystaliteration for gradvist at udvide SiC-krystalliseringen, indtil den når 200 mm;Gennem multipel krystalvækst og processiig optimerer du gradvist krystalkvaliteten i det krystaludvidende område og forbedrer kvaliteten af 200 mm frøkrystaller.

Med hensyn til 200 mm ledende krystal og substratforberedelse har forskning optimeret temperaturfelt- og flowfeltdesignet til krystalvækst i stor størrelse, udføre 200 mm ledende SiC-krystalvækst og kontrollere dopingens ensartethed.Efter grov behandling og formning af krystallen blev der opnået en 8-tommers elektrisk ledende 4H-SiC-barre med en standarddiameter.Efter skæring, slibning, polering, forarbejdning for at opnå SiC 200 mm wafers med en tykkelse på 525um eller deromkring