6 tommer HPSI SiC substrat wafer Silicium Carbide Semi-fornærmende SiC wafers

De nuværende vækstmetoder for SiC-enkeltkrystal omfatter hovedsageligt følgende tre: væskefasemetode, højtemperatur kemisk dampaflejringsmetode og fysisk dampfasetransport (PVT) metode.Blandt dem er PVT-metoden den mest undersøgte og modne teknologi til SiC-enkeltkrystalvækst, og dens tekniske vanskeligheder er:

(1) SiC-enkeltkrystal i den høje temperatur på 2300 ° C over det lukkede grafitkammer for at fuldføre omkrystallisationsprocessen "fast - gas - fast" omdannelsesprocessen, vækstcyklussen er lang, svær at kontrollere og tilbøjelig til mikrotubuli, indeslutninger og andre defekter.

(2) Siliciumcarbid enkeltkrystal, herunder mere end 200 forskellige krystaltyper, men produktionen af ​​generelt kun en krystaltype, let at producere krystaltypetransformation i vækstprocessen, hvilket resulterer i multi-type indeslutningsdefekter, fremstillingsprocessen af ​​en enkelt specifik krystal type er vanskeligt at kontrollere stabiliteten af ​​processen, for eksempel den nuværende mainstream af 4H-typen.

(3) Siliciumcarbid-enkeltkrystalvækst termisk felt der er en temperaturgradient, hvilket resulterer i krystalvækstprocessen, der er en naturlig intern stress og de resulterende dislokationer, fejl og andre defekter induceret.

(4) Siliciumcarbid-enkeltkrystalvækstproces skal strengt kontrollere indførelsen af ​​eksterne urenheder for at opnå en halvisolerende krystal med meget høj renhed eller en retningsdoteret ledende krystal.For de semi-isolerende siliciumcarbidsubstrater, der anvendes i RF-enheder, skal de elektriske egenskaber opnås ved at kontrollere den meget lave urenhedskoncentration og specifikke typer punktdefekter i krystallen.