8 tommer 200 mm 4H-N SiC wafer ledende dummy forskningskvalitet

Kort beskrivelse:

I takt med at transport-, energi- og industrimarkederne udvikler sig, fortsætter efterspørgslen efter pålidelig og højtydende effektelektronik med at vokse. For at imødekomme behovet for forbedret halvlederydelse søger enhedsproducenter efter halvledermaterialer med bredt båndgab, såsom vores 4H SiC Prime Grade-portefølje af 4H n-type siliciumcarbid (SiC)-wafere.


Funktioner

På grund af sine unikke fysiske og elektroniske egenskaber bruges 200 mm SiC-waferhalvledermateriale til at skabe højtydende, højtemperatur-, strålingsbestandige og højfrekvente elektroniske enheder. Prisen på 8-tommer SiC-substrater falder gradvist i takt med at teknologien bliver mere avanceret, og efterspørgslen vokser. Nylige teknologiske udviklinger har ført til produktionsskalaproduktion af 200 mm SiC-wafere. De vigtigste fordele ved SiC-waferhalvledermaterialer i sammenligning med Si- og GaAs-wafere: Den elektriske feltstyrke af 4H-SiC under lavine-gennembrud er mere end en størrelsesorden højere end de tilsvarende værdier for Si og GaAs. Dette fører til et betydeligt fald i den tændte modstand Ron. Lav den tændte modstand kombineret med høj strømtæthed og termisk ledningsevne tillader brugen af ​​meget små chips til strømforsyningsenheder. Den høje termiske ledningsevne af SiC reducerer chippens termiske modstand. De elektroniske egenskaber ved enheder baseret på SiC-wafere er meget stabile over tid og temperaturstabile, hvilket sikrer produkternes høje pålidelighed. Siliciumcarbid er ekstremt modstandsdygtigt over for hård stråling, hvilket ikke forringer chippens elektroniske egenskaber. Krystallens høje begrænsende driftstemperatur (mere end 6000°C) giver dig mulighed for at skabe yderst pålidelige enheder til barske driftsforhold og specielle applikationer. I øjeblikket kan vi levere små partier på 200 mm SiC-wafere stabilt og kontinuerligt og har en vis lagerbeholdning på lageret.

Specifikation

Antal Punkt Enhed Produktion Forskning Dummy
1. Parametre
1.1 polytype -- 4H 4H 4H
1.2 overfladeorientering ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2. Elektrisk parameter
2.1 dopant -- n-type nitrogen n-type nitrogen n-type nitrogen
2.2 modstand ohm ·cm 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3. Mekanisk parameter
3.1 diameter mm 200±0,2 200±0,2 200±0,2
3.2 tykkelse μm 500±25 500±25 500±25
3.3 Hakretning ° [1-100]±5 [1-100]±5 [1-100]±5
3.4 Hakdybde mm 1~1,5 1~1,5 1~1,5
3,5 LTV μm ≤5 (10 mm * 10 mm) ≤5 (10 mm * 10 mm) ≤10 (10 mm * 10 mm)
3.6 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Sløjfe μm -25~25 -45~45 -65~65
3,8 Forvridning μm ≤30 ≤50 ≤70
3,9 AFM nm Ra≤0,2 Ra≤0,2 Ra≤0,2
4. Struktur
4.1 mikrorørs tæthed stk./cm² ≤2 ≤10 ≤50
4.2 metalindhold atomer/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD stk./cm² ≤500 ≤1000 NA
4.4 Borderline personlighedsforstyrrelse stk./cm² ≤2000 ≤5000 NA
4,5 TED stk./cm² ≤7000 ≤10000 NA
5. Positiv kvalitet
5.1 front -- Si Si Si
5.2 overfladefinish -- Si-face CMP Si-face CMP Si-face CMP
5.3 partikel stk./vaffel ≤100 (størrelse ≥0,3 μm) NA NA
5.4 kradse stk./vaffel ≤5, samlet længde ≤200 mm NA NA
5,5 Kant
afslag/hak/revner/pletter/kontaminering
-- Ingen Ingen NA
5.6 Polytypeområder -- Ingen Areal ≤10% Areal ≤30%
5.7 frontmarkering -- Ingen Ingen Ingen
6. Rygkvalitet
6.1 bagsidefinish -- C-face MP C-face MP C-face MP
6.2 kradse mm NA NA NA
6.3 Bagkantsfejl
afslag/fordybninger
-- Ingen Ingen NA
6.4 Ruhed i ryggen nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6,5 Bagmarkering -- Hak Hak Hak
7. Kant
7.1 kant -- Affasning Affasning Affasning
8. Pakke
8.1 emballage -- Epi-klar med vakuum
emballage
Epi-klar med vakuum
emballage
Epi-klar med vakuum
emballage
8.2 emballage -- Multi-wafer
kassetteemballage
Multi-wafer
kassetteemballage
Multi-wafer
kassetteemballage

Detaljeret diagram

8 tommer SiC03
8 tommer SiC4
8 tommer SiC5
8 tommer SiC6

  • Tidligere:
  • Næste:

  • Skriv din besked her og send den til os