8 tommer silicium wafer P/N-type (100) 1-100Ω dummy genvindingssubstrat

Kort beskrivelse:

Stort lager af dobbeltsidede polerede wafere, alle wafers fra 50 til 400 mm i diameter. Hvis din specifikation ikke er tilgængelig i vores lager, har vi etableret langsigtede relationer med mange leverandører, som er i stand til at specialfremstille wafers, så de passer til enhver unik specifikation. Dobbeltsidede polerede wafers kan bruges til silicium, glas og andre materialer, der almindeligvis anvendes i halvlederindustrien.

Send e-mail til os

Produktdetaljer

Produkt Tags

Introduktion af wafer box

Den 8-tommers siliciumwafer er et almindeligt anvendt siliciumsubstratmateriale og er meget udbredt i fremstillingsprocessen af integrerede kredsløb. Sådanne siliciumwafers bruges almindeligvis til at fremstille forskellige typer integrerede kredsløb, herunder mikroprocessorer, hukommelseschips, sensorer og andre elektroniske enheder. 8-tommer silicium wafers bruges almindeligvis til at lave chips af relativt store størrelser, med fordele, herunder et større overfladeareal og evnen til at lave flere chips på en enkelt silicium wafer, hvilket fører til øget produktionseffektivitet. Den 8-tommer silicium wafer har også gode mekaniske og kemiske egenskaber, som er velegnet til storskala integreret kredsløb produktion.

Produktegenskaber

8" P/N type, poleret silicium wafer (25 stk)

Orientering: 200

Resistivitet: 0,1 - 40 ohm•cm (det kan variere fra batch til batch)

Tykkelse: 725+/-20um

Prime/Monitor/Testkarakter

MATERIALEGENSKABER

Parameter	Karakteristisk
Type/Doant	P, Bor N, Fosfor N, Antimon N, Arsen
Orienteringer	<100>, <111> skærer retninger af efter kundens specifikationer
Iltindhold	10¹⁹ppmA Brugerdefinerede tolerancer pr. kundes specifikation
Kulstofindhold	< 0,6 ppmA

MEKANISKE EGENSKABER

Parameter	Prime	Monitor/test A	Prøve
Diameter	200±0,2 mm	200 ± 0,2 mm	200 ± 0,5 mm
Tykkelse	725±20µm (standard)	725±25 µm (standard) 450±25 µm 625±25 µm 1000±25 µm 1300±25 µm 1500±25 µm	725±50µm (standard)
TTV	< 5 µm	< 10 µm	< 15 µm
Sløjfe	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Indpakning	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Kant afrunding	SEMI-STD
Mærkning	Kun Primær SEMI-Flat, SEMI-STD Flats Jeida Flat, Notch

Parameter	Prime	Monitor/test A	Prøve
Forsidekriterier
Overfladetilstand	Kemisk Mekanisk poleret	Kemisk Mekanisk poleret	Kemisk Mekanisk poleret
Overfladeruhed	< 2 A°	< 2 A°	< 2 A°
Forurening Partikler @ >0,3 µm	= 20	= 20	= 30
Dis, gruber Appelsinskal	Ingen	Ingen	Ingen
Så, Marks Strænger	Ingen	Ingen	Ingen
Bagsidekriterier
Revner, kragefødder, savmærker, pletter	Ingen	Ingen	Ingen
Overfladetilstand	Ætsende ætset